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STMicroelectronics STW48N60DM2
| Artikelnummer | STW48N60DM2 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 40A |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | STW48N60DM2 Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
Schnelle Anfrage
STW48N60DM2 Spezifikationen
| Artikelnummer: | STW48N60DM2 |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | N-Channel |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 600V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds ein, min. rds ein): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 79 mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 70nC @ 10V |
| VGs (max.): | ±25V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 3250pF @ 100V |
| Fet-Funktion: | - |
| Verlustleistung (max.): | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten: | TO-247 |
| Paket / Koffer: | TO-247-3 |
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