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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE(TE85L,F)
| Artikelnummer | SSM6P15FE(TE85L,F) |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | SSM6P15FE(TE85L,F) Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
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SSM6P15FE(TE85L,F) Spezifikationen
| Artikelnummer: | SSM6P15FE(TE85L,F) |
| Marke: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fet-Funktion: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 100mA |
| rds on (max) @ id, vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| vgs(th) (max) @ id: | 1.7V @ 100µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 9.1pF @ 3V |
| Leistung max: | 150mW |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Paket / Koffer: | SOT-563, SOT-666 |
| Gerätepaket des Lieferanten: | ES6 (1.6x1.6) |
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