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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F)
| Artikelnummer | SSM6L35FU(TE85L,F) |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | SSM6L35FU(TE85L,F) Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
Schnelle Anfrage
SSM6L35FU(TE85L,F) Spezifikationen
| Artikelnummer: | SSM6L35FU(TE85L,F) |
| Marke: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | N and P-Channel |
| Fet-Funktion: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 180mA, 100mA |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 9.5pF @ 3V |
| Leistung max: | 200mW |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Paket / Koffer: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Gerätepaket des Lieferanten: | US6 |
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