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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202
| Artikelnummer | BSM180C12P2E202 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | BSM180C12P2E202 Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
Schnelle Anfrage
BSM180C12P2E202 Spezifikationen
| Artikelnummer: | BSM180C12P2E202 |
| Marke: | Rohm Semiconductor |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
| Hersteller: | Rohm Semiconductor |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | N-Channel |
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 1200V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 204A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds ein, min. rds ein): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 35.2mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
| VGs (max.): | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 20000pF @ 10V |
| Fet-Funktion: | - |
| Verlustleistung (max.): | 1360W (Tc) |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten: | Module |
| Paket / Koffer: | Module |
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