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Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7
| Artikelnummer | DMG6602SVTQ-7 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | DMG6602SVTQ-7 Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
Schnelle Anfrage
DMG6602SVTQ-7 Spezifikationen
| Artikelnummer: | DMG6602SVTQ-7 |
| Marke: | Diodes Incorporated |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | N and P-Channel |
| Fet-Funktion: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 3.4A, 2.8A |
| rds on (max) @ id, vgs: | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id: | 2.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 13nC @ 10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 400pF @ 15V |
| Leistung max: | 840mW |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Paket / Koffer: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten: | TSOT-26 |
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