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Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1
| Artikelnummer | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | MOSFET MODULE 1200V 150A |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
Schnelle Anfrage
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Spezifikationen
| Artikelnummer: | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fet-Funktion: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 1200V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 150A (Tj) |
| rds on (max) @ id, vgs: | 7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| vgs(th) (max) @ id: | 5.55V @ 60mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 372nC @ 15V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 11000pF @ 800V |
| Leistung max: | 20mW (Tc) |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Paket / Koffer: | Module |
| Gerätepaket des Lieferanten: | AG-EASY2BM-2 |
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