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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7
| Artikelnummer | SCTH90N65G2V-7 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Paket/Koffer | - |
| Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Auf Lager | Wir können sofort versenden |
| Einzelpreis | Fordern Sie ein Angebot an |
| Datenblatt | SCTH90N65G2V-7 Datenblatt |
| Garantie | Neu und originell |
| Kategorie | diskrete Halbleiterprodukte |
| Filter | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
Schnelle Anfrage
SCTH90N65G2V-7 Spezifikationen
| Artikelnummer: | SCTH90N65G2V-7 |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Lebenszyklus: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kategorie: | diskrete Halbleiterprodukte |
| Unterkategorie: | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Halogen frei: | Satisfy |
| Popularität: | High popularity |
| Angebot und Nachfrage: | Sufficient |
| Alternative Teile: | E-mail Us / Technical Support |
| Teilestatus: | Active |
| Fet-Typ: | N-Channel |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (vdss): | 650V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 °C: | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds ein, min. rds ein): | 18V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 26 mOhm @ 50A, 18V |
| vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 157nC @ 18V |
| VGs (max.): | +22V, -10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 3300pF @ 400V |
| Fet-Funktion: | - |
| Verlustleistung (max.): | 330W (Tc) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten: | H2PAK-7 |
| Paket / Koffer: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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